Samsung Electronics telah mulai produksi massal pertama di industri kelas 10nm, 8Gbit DDR4 DRAM chip dan modul. Samsung mengatakan kemajuan terbaru ini akan membantu untuk mempercepat pergeseran industri-lebar untuk produk DDR4 canggih.
Young-Hyun Jun, presiden Memory Business Samsung Electronics, mengatakan: “Dalam waktu dekat, kami juga akan meluncurkan generasi, kelas 10nm produk DRAM untuk mobile dengan densitas tinggi untuk membantu produsen ponsel berkembang bahkan lebih banyak produk inovatif yang menambah kenyamanan pengguna perangkat mobile. ”
DRAM baru mendukung kecepatan transfer data 3200 Mbps, dimana 30% lebih cepat dari 20nm DDR4 DRAM yang memiliki 2400 Mbps. Juga, modul yang dihasilkan dari chip kelas 10nm DRAM dikatakan mengkonsumsi daya 10 sampai 20% lebih sedikit, dibandingkan dengan memory berbasis 20nm-process.
Samsung akan meningkatkan efisiensi desain generasi, sistem komputasi kinerja tinggi dan jaringan perusahaan besar lainnya, serta digunakan untuk PC dan mainstream server market.
Berdasarkan kemajuan dengan kelas 10nm DDR4 DRAM, Samsung mengharapkan untuk memperkenalkan solusi DRAM ponsel kelas 10nm dengan densitas tinggi dan kecepatan terbaik di tahun ini.
(hrz/newselectronic.co.uk)
